第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。
我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！
第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）
2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology
2026年8月28日-30日，中国-江苏-无锡
会议官网：www.asdit.org【参会投稿】
截稿时间：见官网
论文检索：EI, Scopus
【会议回顾】ASDIT 2025会议论文集已提交IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)并完成见刊出版
【组织单位】
主办单位：江南大学
承办单位：江南大学集成电路学院、江南大学理学院、无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室、江南大学-康讯半导体联合实验室
【大会嘉宾】
大会主席
杨国峰教授，江南大学，理学院院长，IEEE Member
顾晓峰教授，江南大学，集成电路学院院长
敖金平教授，江南大学，IEEE Senior Member
技术程序委员会主席
余建军教授，复旦大学，IEEE Fellow
李杨副教授，江南大学
Mário Fernando Santos Ferreira教授，阿威罗大学
Mohd Aliff Afira Bin Hj. Sani副教授，吉隆坡大学
出版主席
姜岩峰教授，江南大学，IEEE 高级会员
刘璋成副教授，江南大学
当地委员会主席
王霄副教授，江南大学，IEEE Member
【征稿主题】
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半导体器件 |
集成技术 |
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新型半导体材料及其在器件中的应用 高性能MOSFET设计与优化 能耗效率优化的功率器件技术 超越硅的III-V族化合物半导体器件 微光电半导体传感器及其应用 半导体激光器及其新兴应用领域 石墨烯和其他二维材料器件 量子点和量子阱半导体器件 新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM 低温电子器件的挑战与机遇 高频和高功率器件的突破性技术 硅基光电子器件及其集成技术 隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究 半导体器件的可靠性与老化机制 先进封装和互连结构对器件性能的影响...... |
三维集成电路及其制造工艺 片上系统(SoC)与集成方法 芯片异构集成技术 封装级集成技术的发展与创新 集成电路中的热管理技术 射频集成电路及其设计优化 人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用 先进模拟与混合信号集成电路 电源管理集成电路技术 集成电路设计中的可靠性与安全挑战 硅光子学互连技术 超大规模集成技术的最新进展 新兴存储器集成技术 模块化MEMS与NEMS的集成应用 智能传感系统的集成与创新...... |
【论文出版】
文章先经2-3位专家盲审，录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN: 979-8-3195-2163-7)出版，见刊后由出版社整理提交至 EI, Scopus 检索。
投稿须知
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作者可通过【iThenticate查重】、【Morressier AI检测】自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版，且公布在会议主页。
【参会方式】
所有参会人员均可申请报告或海报展示，可开具证明
1、作者参会：一篇录用文章允许一名作者免费参会；
2、口头演讲：申请口头报告，时间为15分钟，摘要投稿可申请；
3、海报展示：申请海报展示，A1尺寸，彩色打印；
4、听众参会：不投稿仅参会，也可申请演讲及展示。
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